Hynix h5tq2g83cfr pbc 4 гб

H5TQ2G83CFR

The H5TQ2G43CFR-xxC, H5TQ2G83CFR-xxC are a 2,147,483,648-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK hynix 2Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the CK), Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 8-bit prefetched to achieve very high bandwidth.

  • VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
  • Fully differential clock inputs (CK, /CK) operation
  • Differential Data Strobe (DQS, /DQS)
  • On chip DLL align DQ, DQS and /DQS transition with CK transition
  • DM masks write data-in at the both rising and falling edges of the data strobe
  • All addresses and control inputs except data, data strobes and data masks latched on the rising edges of the clock
  • Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 and 13 supported
  • Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2 supported
  • Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8
  • Programmable burst length 4/8 with both nibble?sequential and interleave mode
  • BL switch on the fly
  • 8banks
  • Average Refresh Cycle (Tcase of 0 oC

95oC)
— 7.8 µs at 0oC

85 oC
— 3.9 µs at 85oC

95 oC

  • JEDEC standard 78ball FBGA(x4/x8)
  • Driver strength selected by EMRS
  • Dynamic On Die Termination supported
  • Asynchronous RESET pin supported
  • ZQ calibration supported
  • TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)
  • Write Levelization supported
  • 8 bit pre-fetch
  • This product in compliance with the RoHS directive
  • Оглавление

    Вступление

    Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:

    • Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
    • Socket FM1 (AMD Llano);
    • Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
    • Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
    • Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).

    Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.

    реклама

    Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8, работающий на частоте 2400 МГц.

    Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.

    Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.

    реклама

    Характеристики

    Характеристики модулей памяти перечислены в таблице:

    Производитель модуля Hynix Samsung Samsung Samsung
    Маркировка модуля HMT351U6CFR-H9 M378B5273CH0-CH9 M378B5273DH0-CK0 M378B5273DH0-CK0
    Маркировка микросхем H5TQ2G83CFR-H9C K4B2G0846C-HCH9 K4B2G0846D-BCK0 K4B2G0846D-HCK0
    Объём, Мбайт 4096 4096 4096 4096
    Тип памяти DDR3-1333 DDR3-1333 DDR3-1600 DDR3-1600
    Поддержка ECC Нет Нет Нет Нет
    Рейтинг PC3-10600 PC3-10600 PC3-12800 PC3-12800
    Частота, МГц 1333 1333 1600 1600
    Тайминги 9-9-9-24 9-9-9-24 11-11-11-28 11-11-11-28
    Напряжение, В 1.50 1.50 1.50 1.50
    Профили EPP/XMP/BEMP Нет Нет Нет Нет
    Цена, руб. * 630 700 860 860

    * В таблице указана цена на модули памяти актуальная на момент проведения тестирования

    Упаковка и внешний вид

    Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой.

    Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену.

    Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта.

    Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)

    Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем — 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны.

    На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года):

    Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства.

    В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C , выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя ( 218 Кбайт ).

    реклама

    Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd.

    Модуль основан на PCB ST-104B:

    реклама

    Переходим к обзору памяти Samsung и начнем с самой дешевой модели:

    Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)

    Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта.

    реклама

    Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции.

    Микросхемы SEC K4B2G0846C-HCH9 выпущены на 49 неделе 2011 года. Штатные характеристики стандартные – частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя ( 1643 Кбайт ).

    реклама

    Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846c-hch9.spd.

    Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:

    И так , выбиралась память из расчёта — цена/качество + высокий потенциал разгона

    Выбирал между SAMSUNG и HYNIX

    Начну с того ,что данная память — бюджетная : стоит не дорого ,не имеет никаких радиаторов и прочих наворотов.

    Купил 4 модуля ,тестировать буду только ОДИН ,то есть двухканальный режим задействован не будет .

    Память мне выдали в пакетике ,как никак это OEM . Текстолит синий .

    Перейдём к характеристикам :

    стандартная частота — 1333

    напряжение 1,5 В

    ЧИПЫ ПАМЯТИ

    чипы — Hynix H5TQ2G83CFR-H9C ,точно такие же как и на GeIL Evo Leggera 2133 (10-11-11-30 ,напряжение 1,65) ,то есть в принципе память должна без проблем гнаться до 2133 !

    ну что же ! перейдём к тестированию ! =)

    ТЕСТЫ

    Asrock EX3 fx990

    проверка скорости чтения, копирования и записи ,а также паузы :

    (при нажатии фулскрин)

    если не работает :

    Разогнать память удалось до 2100мгц

    напряжение 1,65 В

    Память оправдала все ожидания !

    Сейчас использую её на частоте 1866

    Главные плюсы:

    -Данная память не греется и не требует высокого напряжения для полного раскрытия своего потенциала


    [an error occurred while processing the directive]
    Карта сайта